- 01. KHOA XÂY DỰNG
- 02. KHOA KIẾN TRÚC
- 03. KHOA KỸ THUẬT CÔNG NGHỆ
- 04. KHOA KINH TẾ
- 05. KHOA KHOA HỌC CƠ BẢN
- 06. PHÂN HIỆU ĐÀ NẴNG
- 07. PHÒNG TỔ CHỨC - HÀNH CHÍNH
- 08. PHÒNG QUẢN LÝ ĐÀO TẠO
- 09. PHÒNG KHOA HỌC & ĐỐI NGOẠI
- 10. PHÒNG QUẢN LÝ CHẤT LƯỢNG
- 11. PHÒNG CÔNG TÁC SINH VIÊN
- 12. PHÒNG KẾ HOẠCH - TÀI CHÍNH
- 13. TRUNG TÂM NGOẠI NGỮ TIN HỌC
- 14. TT TƯ VẤN XÂY DỰNG
- 15. VIỆN NGHIÊN CỨU HOÁ VÀ MÔI TRƯỜNG
TƯ VẤN TUYỂN SINH - HOTLINE (Zalo): 096 22 44 195
0977 388 818 - 0935 081 799 - 0988 856 007
0977 388 818 - 0935 081 799 - 0988 856 007
ĐƠN VỊ TRỰC THUỘC
Lý lịch khoa học: Nguyễn Thị Sạ
I. LÝ LỊCH SƠ LƯỢC
Họ và tên: NGUYỄN THỊ SẠ Giới tính: NữNgày, tháng, năm sinh: 05/02/1986 Nơi sinh: Bắc Ninh
Quê quán: Đông Cứu – Gia Bình - Bắc Ninh Dân tộc: Kinh
Học vị cao nhất: Tiến sĩ Vật lý-Toán. Năm, nước nhận học vị: 2015, Liên Bang Nga
Chức danh khoa học cao nhất: Năm bổ nhiệm:
Chức vụ (hiện tại hoặc trước khi nghỉ hưu):
Đơn vị công tác (hiện tại hoặc trước khi nghỉ hưu): Trường Đại học xây dựng Miền Trung
Chỗ ở riêng hoặc địa chỉ liên lạc: Khu tập thể trường Đại học xây dựng Miền Trung, 24 Nguyễn Du, TP. Tuy Hòa, Phú Yên
Điện thoại liên hệ: CQ: NR: DĐ: 0981902507
Fax: Email: [email protected]
II. QUÁ TRÌNH ĐÀO TẠO
1. Đại học:
Hệ đào tạo: Chính quy
Nơi đào tạo: Đại học Tổng hợp Kỹ thuật Quốc gia Volgograd
Ngành học: Vật lý
Nước đào tạo: Liên Bang Nga Năm tốt nghiệp: 2010
2. Sau đại học:
- Thạc sĩ chuyên ngành: Vật lý Năm cấp bằng: 2012
Nơi đào tạo: Đại học Tổng hợp Kỹ thuật Quốc gia Volgograd
- Tiến sĩ chuyên ngành: Vật lý điện tử Năm cấp bằng: 2015
Nơi đào tạo: Đại học Tổng hợp Kỹ thuật Quốc gia Volgograd
- Tên đề tài luận án: Phổ năng lượng của electron và các đặc tính hấp thụ quang học của các cấu trúc SiO2 một chiều và hai chiều với các dạng khiếm khuyết thay thế.
3. Ngoại ngữ: Tiếng Nga - Mức độ sử dụng: C1
III. QUÁ TRÌNH CÔNG TÁC CHUYÊN MÔN
|
Thời gian
|
Nơi công tác
|
Công việc đảm nhiệm
|
|
12/2015-đến nay
|
Trường ĐHXD Miền Trung
|
Giảng viên
|
IV. QUÁ TRÌNH NGHIÊN CỨU KHOA HỌC
1. Các đề tài nghiên cứu khoa học đã và đang tham gia:
|
TT
|
Tên đề tài nghiên cứu
|
Năm bắt đầu/Năm hoàn thành
|
Đề tài cấp (NN, bộ, ngành, trường)
|
Trách nhiệm tham gia trong đề tài
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. Các công trình khoa học đã công bố:
|
TT
|
Tên công trình
|
Năm công bố
|
Tên tạp chí
|
|
1
|
A. O. Litinski, Thi Sa Nguyen. The electronic traps in the one-dimensional dielectric structures with the defects of electron-accepter groups substitution type.
|
2011
|
"Izvestia VSTU", 6, 20 (2011).
|
|
2
|
A. O. Litinski, Thi Sa Nguyen. The energy spectrum of electrons in the wide-gap one-dimensional structures with regular defects.
|
2013
|
"Naukoemkie ekhnologii" (Science Intensive Technologies), 4, 19 (2013).
|
|
3
|
A. O. Litinski, Thi Sa Nguyen. Electron energy spectrum and peculiarities of optical absorption of single-layer hydroxysiloxane structures with substitution defects of silanol groups by electron-donor atoms.
|
2014
|
"Izvestia VSTU", 10 (137), 16 (2014).
|
|
4
|
A. O. Litinski, Thi Sa Nguyen. Electron-energy spectrum and optical absorption spectrum of finite-layer nanoscale structures based on silicon dioxide. Model quantum-mechanical calculation.
|
2014
|
"Izvestia VSTU", 26 (153), 31 (2014).
|
|
5
|
A. O. Litinski, Thi Sa Nguyen. Electron energy spectrum and peculiarities of optical absorption in single-layer 2D structures based on silicon dioxide with surface functional groups.
|
2014
|
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 3, 549 (2014).
|
|
6
|
A. O. Litinski, Thi Sa Nguyen. Electron energy spectrum of two-dimensional hydroxysiloxane structures with defects of substitution of silanol groups with boron, aluminum, and gallium atoms.
|
2015
|
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 6, 1256 (2015).
|